Samsung 6. Nesil DRAM sürecine geçiyor: HBM4 için hazırlık başladı

Samsung, bellek sektöründe bir dönüm noktası olarak görülen 6. nesil DRAM (1c) üretim sürecine resmi olarak geçmeye hazırlanıyor. 

Şirket, bu teknolojiyle HBM4 belleklere giden yolun anahtarını oluşturmayı hedefliyor. 2025’in ikinci yarısında planlanan bu geçiş, hem AI tabanlı işlem gücü hem de yüksek performanslı bilgi işlem sistemleri için kritik önem taşıyor.

10 nm sınıfında yüksek verimlilik

Samsung’un yeni 1c DRAM süreci, yaklaşık 10 nm sınıfında ve daha önceki nesillere göre daha ince devre mimarisiyle öne çıkıyor. Bu yapı, enerji tüketimini azaltıp performans etkinliğini artırıyor. Şirket, Hwaseong ve Pyeongtaek altyapılarında yüksek verim oranları elde ederek üretime hazır onayını aldı.

HBM4 ve AI sunucularında kritik adım

nesil DRAM süreci, öncelikli olarak HBM4 belleklerin geliştirilmesinde kullanılacak. HBM4’ün düşük gecikme süresi ve yüksek bant genişliği sunması bekleniyor. Bu da özellikle yapay zekâ hızlandırıcıları, veri merkezleri ve HPC (yüksek performanslı bilgi işlem) sistemlerinde büyük avantaj sağlayacak.

Rakibi SK hynix’in benzer bir HBM4 tekniğine sahip olduğu gözlemlenirken, Samsung bu yeni DRAM süreciyle rakiplerine karşı hamlede bulunmak istiyor. Nvidia, AMD ve diğer büyük teknoloji şirketlerinin HBM4’ü benimsemesi, Samsung için büyük iş birliklerine kapı aralayabilir.

Uygulama alanları genişliyor

LPDDR6: Akıllı telefonlar ve mobil cihazlarda düşük güç tüketimiyle kullanılacak

HBM4: Yapay zekâ sunucuları ve grafik hızlandırıcılar

AI ve HPC: Yüksek veri işleme performansına ihtiyaç duyan sistemler

Samsung’un bu hamlesi, hem mobil cihaz teknolojilerinde hem de sunucu tarafında yeni bir bellek nesli döneminin başlangıcı olabilir.